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砷化镓(GaAs)在半导体家族中已迅速成长为仅次于硅的最重要的半导体电子材料，在微/纳米领域里有着广泛的应用[1]。砷化镓中电子具有很高的迁移率，禁带宽度大，能带结构属直接跃迁型，光转换效率明显高于其他半导体材料[2]，具有广阔的应用前景。
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【摘 要】
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砷化镓(GaAs)在半导体家族中已迅速成长为仅次于硅的最重要的半导体电子材料，在微/纳米领域里有着广泛的应用[1]。砷化镓中电子具有很高的迁移率，禁带宽度大，能带结构属直接跃迁型，光转换效率明显高于其他半导体材料[2]，具有广阔的应用前景。
【机 构】
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厦门大学化学化工学院固体表面物理化学国家重点实验室,福建,厦门,361005
【出 处】
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中国化学会第30届学术年会
【发表日期】
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2016年7期
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