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Ⅲ-Ⅴ 族半导体纳米线由于在纳米电子和光电子器件领域的巨大应用前景，近年来受到人们的普遍关注。要实现其在纳米器件上的应用，掺杂是一个基本的步骤。然而，由于Ⅲ-Ⅴ 族半导体纳米线存在费米能级钉扎在导带的现象，使得p 型掺杂较为困难。
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的表面缺陷与p型掺杂
【摘 要】
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Ⅲ-Ⅴ 族半导体纳米线由于在纳米电子和光电子器件领域的巨大应用前景，近年来受到人们的普遍关注。要实现其在纳米器件上的应用，掺杂是一个基本的步骤。然而，由于Ⅲ-Ⅴ 族半导体纳米线存在费米能级钉扎在导带的现象，使得p 型掺杂较为困难。
【机 构】
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中国计量大学光学与电子科技学院,杭州 310018;中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
【出 处】
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中国物理学会2016年秋季会议
【发表日期】
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2016年5期
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