单晶Tm2O3薄膜的制备与F-N隧穿机制

来源 :第十三届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tangyanb

【摘要】

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　　采用分子束外延(MBE)方法,并结合原位退火生长技术在Si(001)基片上制备了Tm2O3 薄膜,XRD 测量结果表明所制备的样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS 电容结构对薄膜进

【作者】

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杨百良杨晓峰刘士彦谭永胜方泽波冀婷

【机构】

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绍兴文理学院物电系, 浙江 312000

【出处】

：

第十三届全国固体薄膜学术会议

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

单晶膜的制备分子束外延原位退火样品势垒高度生长技术低温环境

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　　采用分子束外延(MBE)方法,并结合原位退火生长技术在Si(001)基片上制备了Tm2O3 薄膜,XRD 测量结果表明所制备的样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS 电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品的F-N隧穿特性,得出Pt/Tm2O3 和Al/Tm2O3 的势垒高度分别为2.95 eV 和1.8 eV.从能带的角度表明Tm2O3 是一种很有前途的高K 栅介质候选材料.

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