本工作提出了一种测量耗尽层电容和界面态电容的新方法,即C-A法：电容——面积法。它可以分别用于测量半导体薄膜材料的杂质浓度......

提出了一种新型的电容器－－ＰＩＰ电容器，它是一种压控电容器，通过控制外加电压（Ｖ）可以控制其电容（Ｃ）的值。电容在Ｖ＝０附近出现峰值Ｃｍａｘ，且随着│Ｖ│的增加Ｃ总是......

基于改进后的三角势阱近似和n型多晶硅的耗尽以及MOSFET的强反型的情况,建立了一个考虑量子效应的栅电容模型.分别对反型层电容和......