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文章以CrSi合金为靶材，通过射频磁控溅射制备高功率密度薄膜功率电阻。从溅射参数、热处理参数和电路图形的改善两方面来提高CrSi薄膜电阻的功率密度。
一种高功率密度薄膜功率电阻的试制
【摘 要】
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文章以CrSi合金为靶材，通过射频磁控溅射制备高功率密度薄膜功率电阻。从溅射参数、热处理参数和电路图形的改善两方面来提高CrSi薄膜电阻的功率密度。
【机 构】
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北京飞宇微电子有限责任公司,北京100027
【出 处】
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第十七届全国混合集成电路学术会议
【发表日期】
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2011年9期
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