【摘 要】
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采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni/Au和n-InGaN之间形成了Schottky接触。为了
【机 构】
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中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni/Au和n-InGaN之间形成了Schottky接触。为了进一步确认Schottky接触的存在,对Ni/Au/n-InGaN/GaN结构的截面进行二次电子显微(SEM)图像、阴极荧光(CL)图像以及电子束感生电流(EBIC)图像的表征,发现Ni/Au/n-InGaN接触在n-InGaN一侧存在内建电场,从而进一步证实Ni/Au/n-InGaN的Schottky接触的形成。
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