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该文报道了在ＳｉＯ〈，２〉和Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉膜上用ＲＴＣＶＤ法直接沉积多晶硅薄膜的实验结果，在这两种薄膜上都制备出了具有柱状晶粒的多晶硅薄膜。发现两者在薄膜的结构和结晶取向上都有很大的不同。用ＲＴＣＶＤ法在ＳｉＯ〈，２〉膜上沉积的多晶硅膜的晶粒较大，但晶粒间的空隙也较大，晶粒的择优取向为＜１１１＞；而在Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉膜上沉积的多晶硅薄膜的晶粒尺寸较小，但晶粒致密，晶粒间基本无空隙，晶粒的择优取向为＜１００＞。通过这些研究，为制备多晶硅薄膜太阳电池奠定了基础。