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本试验在化学气象沉积（CVD）技术生长的 SOI 片中通过控制 HF 溶液腐蚀 SiO2的时间，选择性的腐蚀掉平板下部分支撑物，留有部分 SiO2来支撑平板，利用 FIB 技术直接刻蚀出具有三角形空气洞结构的二维光子晶体, 晶格常数和空气孔的半径分别为 0.42μm 和 0.12μm。通过平面波展开的方法计算出的带隙范围在 1.3-1.6μm。在实验中选用功率为 50w 的卤灯作为光源，光源经过起偏器后被一红外物镜会聚到光子晶体样品上，用一聚光物镜放在样品另一面用于接收光信号，数据采集系统由一台计算机控制的光谱仪和一个探测器组成。一个完全相同的没有光子晶体的样品用来校准透过率。本实验测得样品完整的第一带隙透过谱，带隙范围在 1.23μm -1.55μm，其中 Si 膜、SiO2层和空气层的折射率分别为 3.4、 1.4 和 1.0，对于对称平板的二维光子晶体计算出的带隙范围在 1.27 μm-1.6 μm。实验所得的带隙位置与理论计算带隙位置基本吻合。