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GaN基光伏器件的关键材料技术
【机 构】
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中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室 ,北京 100083
【出 处】
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第十三届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2012年5期
其他文献
使用SiC热分解法,在Si面SiC(0001)衬底上制备了1-2层外延石墨烯材料。利用原子力显微镜、扫描电子显微镜、微区拉曼光谱、变温Hall测试仪(90K-500K)等研究了高真空和Ar惰性气氛下生长的外延石墨烯的形貌,层数以及电学特性的异同。研究表明,与高真空下生长的石墨烯相比,Ar气氛下制备的石墨烯具有宽阔的台阶,较大面积的层数均一性,从而提高了外延石墨烯的载流子迁移率。变温Hall测试发现
本文在Si/SiO2 衬底上采用Ga-Ni 合金作为催化剂、无定形碳膜作为固态碳源进行了石墨烯生长研究。利用Ga-Ni合金的低熔点和在高温下的强蒸发作用,成功生长出与合金催化剂衬底几乎完全分离的规则圆形多层石墨烯薄膜。通过拉曼光谱、原子力显微镜(AFM)、扫面电子显微镜(SEM)等表征方法对多层石墨烯薄膜进行了表征。结果表明Ga-Ni 合金能够有效促进无定形碳结构向石墨烯结构的转变,而且发现石墨烯
通过对金红石结构TiO2中氧空位和Fe替代量对磁性影响的LDA+U 计算发现，当Fe 替代量小于6.25％、氧空位的浓度在1.5％以下时，体系具有稳定的铁磁性，这一铁磁性是本征的.这种低浓度的磁性离子构成的稳定铁磁性，来源于磁性离子构成的局域极化子通过氧空位产生的极化电荷而发生的双交换作用.
Ge 表面具有高的表面态，当Ge与金属接触时存在强烈的费米钉扎效应，电子的势垒高度被钉扎在0.6eV 附近，严重影响器件的性能.我们研究了TaN 薄膜与Ge 接触界面特性，发现薄的TaN可有效减轻费米钉扎效应，降低金属与n-Ge 接触的势垒高度.基于势垒高度的调制，制备出具有较低接触电阻的Al/TaN 与n-Ge 的欧姆接触.最后，将Al/TaN 叠层电极结构用于Si基Ge PIN 探测器，其暗电
我们比较研究了用化学气相沉积和磁控溅射制备的铕掺杂富硅氧化硅(Eu-SRSO)薄膜的发光性质。发现采用化学气相沉积方法制备的Eu-SRSO,Eu 离子主要以二价态存在于薄膜中；在Ar+H2中退火后,发光峰位变得更加明锐。采用磁控溅射制备的Eu-SRSO,薄膜中Eu 离子二价和三价态都有；在？ 900℃ 氮气中退火,Eu3+的发光是主要发光峰；而在？1000℃ 退火时,薄膜中生成二价Eu2+离子的硅
采用分子束外延(MBE)方法,并结合原位退火生长技术在Si(001)基片上制备了Tm2O3 薄膜,XRD 测量结果表明所制备的样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS 电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品的F-N隧穿特性,得出Pt/Tm2O3 和Al/Tm2O3 的势垒高度分别为2.95 eV 和1.8 eV.从能带的角度表明Tm2O3 是一种很有前途的高K 栅介质候选材料.
氧化锌(ZnO)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙化合物半导体材料,具有六方纤锌矿结构,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,广泛应用于短波长发光二极管、荧光材料、激光器、光敏器件、紫外探测器等光电子纳米器件.本文主要采用水热法来制备纳米ZnO粉体,并讨论了反应溶液中不同的OH-/Zn2+的摩尔浓度比对纳米ZnO晶体的光学性能、形貌和结构的影响.通过光致发光、扫描电子显微镜和X 射线衍
以醋酸锌(Zn(Ac)2·2H2O)、氢氧化钾(KOH)以及硫脲为初始原料，在高温高压的水热反应釜中运用水热法制备了掺杂的棒状氧化锌(ZnO)粉体材料，采用扫描电子显微镜、光致发光方法对合成物的形貌及发光性能进行表征。电镜扫描表明合成的棒状氧化锌纳米晶为六角纤锌矿结构，光致发光谱测试结果研究表明，产物的发光性能与掺杂硫的浓度有关，形貌、发光性能与制备方法有关，还与冷却时间有关。另外，还发现氧化锌晶
制备同质结和异质结InGaN太阳电池，表征分析不同结构电池性能的差异，通过对比研究发现电池的结构设计、吸收区厚度、晶格质量都对电池性能产生很大的影响，尤其是保证良好的InGaN吸收区晶格质量是结构设计中所要考虑的关键问题。本文研究了限制InGaN薄膜电池性能的内在因素，为进一步研制高性能的InGaN电池奠定了重要的基础。
GaN基激光器信息存储、激光显示、深海通信、生物检测等方面有着广阔的应用前景。本文报道了苏州纳米所氮化镓基蓝光激光器的研究成果以及基于InGaN量子点的氮化镓基绿光激光器的初步研究结果。
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