【摘 要】
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多晶硅中的位错和晶界等晶体缺陷可以显著降低多晶硅太阳电池的电学性能,针对这一问题,本文开展了冶金法多晶硅中的晶体缺陷对其电学性能的影响规律研究.实验采用冶金法提纯获得的多晶硅铸锭上部硅片,开展快速热处理实验研究,并利用电子背散射衍射(EBSD)对多晶硅的晶界及位错进行表征,研究了快速热处理前后晶界及位错的变化及其对多晶硅的电学性能的影响.研究结果表明,快速热处理可以明显的改善冶金法多晶硅的晶体缺陷
【机 构】
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昆明理工大学真空冶金国家工程实验室/省部共建复杂有色金属资源清洁利用国家重点实验室,昆明云南650093
【出 处】
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中国有色金属学会第十届青年学术论坛暨中国有色金属学会首届(2016)冶金反应工程学术年会
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多晶硅中的位错和晶界等晶体缺陷可以显著降低多晶硅太阳电池的电学性能,针对这一问题,本文开展了冶金法多晶硅中的晶体缺陷对其电学性能的影响规律研究.实验采用冶金法提纯获得的多晶硅铸锭上部硅片,开展快速热处理实验研究,并利用电子背散射衍射(EBSD)对多晶硅的晶界及位错进行表征,研究了快速热处理前后晶界及位错的变化及其对多晶硅的电学性能的影响.研究结果表明,快速热处理可以明显的改善冶金法多晶硅的晶体缺陷,快速热处理实验后∑3数量下降了5.57％,晶粒尺寸最高由1.14×104μm2增大到1.68×104μm2,增大了147.37％.同时,快速热处理可以显著提高冶金法多晶硅的电学性能,少数载流子寿命均值由0.496μs升高到0.628μS,提高了30％.通过分析实验结果认为,冶金法多晶硅中∑3晶界数量的降低、晶粒尺寸的增大及位错的消除是多晶硅电学性能提高的主要驱动力.
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