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本文采用AIN纳米锥作为骨架，在其表面修饰具有低功函的CsI，进一步降低了AIN纳米锥的功函(-3.7 eV)，从而增强了其场致发射性能。先制备了AIN纳米锥准定向阵列，然后通过真空蒸镀在其表面修饰了低功函的CsI纳米粒子，得到系列CsI-A1N复合纳米材料。测试结果表明修饰CsI纳米粒子的AlN纳米锥的场发射性能得到了显著的提高，其中CsI纳米粒子的尺寸和密度对场发射性能有重要的影响。该结果表明用低功函材料修饰是一种能有效提高A1N基场发射材料的途径。