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本文采用闪蒸法在加热到47 K的玻璃衬底上制备了厚度在80-320 nm的Bi0.5sb1.5Te3热电薄膜,用X射线衍射、场发射扫描电子显微术研究了薄膜的显微结构和表面形貌。结果表明，薄膜具有多晶特征,薄膜的电阻率与其厚度的倒数成线性关系,在300～350K的温度范围内对退火薄膜的电阻率进行了研究,薄膜的电阻率与温度成线性关系,这表明了薄膜的半导体特性。