薄膜电阻率相关论文
本文讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量采用低压MOCVD在石英衬底上生长一......
二氧化钒是一种具有特殊相变性能的功能材料.随着温度的变化,二氧化钒会发生从半导体态到金属态的可逆变化,同时,电阻率和光谱透射......
该课题主要研究了以VO为基的抗激光致盲工作原理和VO薄膜制备的工艺,以大量的国内外文献作为参考独自摸索出了采用反应离子溅射以......
本文采用闪蒸法在加热到47 K的玻璃衬底上制备了厚度在80-320 nm的Bi0.5sb1.5Te3热电薄膜,用X射线衍射、场发射扫描电子显微术研究......
报道了Pd薄膜电阻率温度系数(TCR)随不同薄膜厚度和不同退火温度的变化.实验结果表明:薄膜TCR值远小于体材料的值,且对晶粒尺寸有一定的依赖关系......
在真空室内原位测量了磁控溅射超薄铝膜的电阻率和薄膜厚度之间的关系以及各种工艺参数对其影响,薄膜的不同厚度阶段,具有不同的导电......
SnS and SnS:In films were deposited onto glass substrates by chemical bath technique.The structure and surface morpholog......
Si含量对溅射Al—Ta—Si合金薄膜电阻率的影响Al—2.3%Ta—x%Si(x=0.8~3.6)和Al—2.3%Ta合金(均为mol%),用磁控溅射法沉积在玻璃基板上形成1.0μm厚的薄膜。用四点探针法测其沉积态或经......
一、引言 以TiSi_2为代表的难熔金属硅化物,由于具有铝及掺杂多晶硅所不具备的特点,已成为VLSI中制作栅电极和互连线的重要材料。......
用简单的两端法测量了高阻ZnO压电薄膜的体积电阻R_v,并计算电阻率ρ_v从样品的R-V曲线中得到合适的测量电压,并以脉冲信号代替传......
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磁性薄膜电阻率较小,需要精确测量。双电测四探针法测量电阻率比传统四探针法更精确,但是步骤繁复不方便实现自动化测量。虚拟仪器......
采用射频磁控溅射法在Corning 7059玻璃和有机衬底上制备了ZnO:Al透明导电膜.研究了薄膜厚度的变化对薄膜的结构性质、光电性质的......
研究了纯Fe膜在200~600℃硫化10h及500℃硫化1-10h条件下形成FeS薄膜过程中的结构、光吸收、禁带宽度及电阻率的变化规律.纯Fe膜虽......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属于六方纤锌矿结构,在光电、压电及磁电子等诸多领域都具有优......
Cu3N薄膜由于具有高电阻率,低热分解温度,在红外和可见光波段与Cu单质的反射率有明显的差别,使其在光学存储,高速集成电路以及太阳......
本文利用直流反应磁控溅射技术,通过调节溅射功率于200℃、3%的氮分压条件在Al2O3基片上沉积了一系列TaN薄膜,并使用光刻工艺制备出相......
薄膜样品相比半导体材料,电阻更小且材质脆弱,现有的四探针电阻率测量设备无法满足其测量要求。双电测组合法基于薄层原理,不需要尺寸......
基于溶胶凝胶法制备了掺铟二氧化锡(ITO)薄膜,探讨聚乙二醇(PEG)、退火温度、退火过程氧气浓度等因素对ITO薄膜性能的影响。实验结果表......
基于虚拟仪器技术及Rymaszewski四探针双电测组合法设计了薄膜电阻率自动化测量系统.在虚拟仪器软件LabVIEW和数字量输出模块NI 94......
在深亚微米(0.15μm及以下)集成电路制造中,后段工艺日趋重要,为降低阻容迟滞(RC Delay),保证信号传输,减小功耗,有必要对后段工艺进行......
学位
在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及......
研究了一种新型透红外的导电薄膜铜铝氧化物(CuAlxOy),选用高纯度铜、铝靶材,利用磁控溅射台在蓝宝石衬底上生长CuAlxOy薄膜。研究了氧......
电阻率是电子材料的重要性能参数,薄膜电阻率的测量备受关注。采用传统四探针电阻率测量方法测量薄膜电阻率,需要加入较多的修正才......