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埋栅-埋沟4H-SiC MESFET新型结构器件是利用工艺手段将栅极底部埋入导电沟道内部中，并在其导电沟道上部加入一层缓冲层。利用ISE软件，建立了埋栅-埋沟4H-SiC MESFET模型，并对其电学特性进行了模拟仿真。结果表明，埋栅-埋沟4H-SiCMESFET器件结构的最大饱和漏电流密度迭410μA/μm、源-漏击穿电压132V、最大输出功率密度6.1W/mm。与传统器件结构相比，它还具有瞬态特性好、工艺相对简单等诸多优越性。采用埋栅-埋沟4H-SiC MESFET器件结构，可以减小或消除器件表面和衬底的表面态和界面态影响，改善器件直流和射频功率稳定性，从而提高器件的直流和频率特性。