【摘 要】
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虽然目前针对CVD 方法对石墨烯制备的研究已经取得较大进展，但仍存在一些相关问题。目前对于低压化学气相沉积(LPCVD)方法来说，其对设备要求较高，制备成本较高。利用常压化学气相沉积(APCVD)方法制备出的石墨烯性能目前未能达到工业应用水平，对其生长条件，生长参数的调节影响研究待进一步深入探讨。本文采用APCVD 方法，以铜箔为基底，维持气体总流量不变，对不同气体配比对生长石墨烯质量的影响进行研
【机 构】
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华南理工大学材料科学与工程学院,广东广州,510640;广州今泰科技股份有限公司,广东广州,51000
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虽然目前针对CVD 方法对石墨烯制备的研究已经取得较大进展，但仍存在一些相关问题。目前对于低压化学气相沉积(LPCVD)方法来说，其对设备要求较高，制备成本较高。利用常压化学气相沉积(APCVD)方法制备出的石墨烯性能目前未能达到工业应用水平，对其生长条件，生长参数的调节影响研究待进一步深入探讨。本文采用APCVD 方法，以铜箔为基底，维持气体总流量不变，对不同气体配比对生长石墨烯质量的影响进行研究，利用RAMAN、SEM、分光光度计、四探针电阻率测试仪等对样品的形貌、结构、透光率及导电性能进行表征，讨论气体组分改变对石墨烯性能的影响。研究结果表明：随着CH4：H2 的流量比不断增加，石墨烯的ID/IG 比值不断增加，缺陷也逐渐增多，但I2D/IG 的比值受氢气和甲烷互相作用制约，并未出现强烈的规律性。石墨烯的透光率受其厚度影响较大，而其导电性则主要由其缺陷主导。
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