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电离辐射在MOS结构的SiO<,2>层中建立正陷阱电荷，这些正陷阱电荷在正栅偏压下迅速减少，这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向SiO<,2>导注入，从而与陷阱正电荷复合。正栅压退火不仅对N沟MOS结构非常有效，对P沟MOS结构也有一定的影响。该文给正栅压退火的实验结果，并阐明了栅压退火机理。
MOS晶体管中辐射引起的陷阱正电荷的强压退火
【摘 要】
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电离辐射在MOS结构的SiO层中建立正陷阱电荷，这些正陷阱电荷在正栅偏压下迅速减少，这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向SiO导注入，从而与陷阱正电荷复合。正栅压退火不仅对N沟MO
【机 构】
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西北核技术研究所(西安)
【出 处】
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
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1999年期
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