退火机理相关论文
对6H-SiC衬底上热氧化生长的SiO2层进行了不同温度退火后的高温漏电流研究。根据SiO2层红外反射特征光谱的变化,研究了SiO2结构变......
电离辐射在MOS结构的SiO层中建立正陷阱电荷,这些正陷阱电荷在正栅偏压下迅速减少,这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向SiO层洲主,从......
电离辐射在MOS结构的SiO层中建立正陷阱电荷,这些正陷阱电荷在正栅偏压下迅速减少,这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向SiO导注入,从......
随着硅集成电路特征尺寸接近其物理极限,具有高迁移,且与硅工艺兼容性好的Ge成为下一代高性能集成电路的候选材料之一。然而由于Ge表......
从双极器件在快中子脉冲辐射下Frenkel缺陷的产生及其退火机理出发,推导出器件β在中子脉冲作用下随AF(t)和电荷浓度变化的数学模......