新型国产MOCVD设备顶棚匀气结构

来源 :第13届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:woshizhaozhiqiang
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
用金属有机物化学沉积(MOCVD)设备生长薄膜材料,通常需要各种源材料以及携带气体.源材料包括金属有机源(MO源)和氨气等气体源,两种反应物混合携带气体后分别通入生长室,在衬底上均匀混合,生成所需要的化合物.源材料通入方式的不同,决定不同的气流模式,所以设备顶棚匀气系统也是MOCVD设备的核心技术,世界上主流MOCVD设备公司如Aixtron、Veeco的设备顶棚均有自己的技术及特点.
其他文献
Following the presentation of the first GaN-based laser diode, major steps towards high power, long lifetime have been made.These LDs require high reliability in which heat dissipation of the diode sh
会议
本文介绍了将CVD制备的单层石墨烯大面积地转移至紫外纳米压印制备的GaN纳米柱和自组织镍(Ni)金属掩膜制备的GaN纳米柱两种结构,形成了一维GaN纳米柱与二维石墨烯的复合结构,并进行了对比表征.纳米压印技术制备的纳米柱具有很好的周期性和平整的柱顶;而自组织镍掩膜技术制备的纳米柱是无序的,具有较尖锐的柱顶.
会议
垂直外腔面发射激光器(Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers,VECSEL)是一种新型半导体激光器,由于其具有可与固体激光器想媲美的输出功率及光束质量,同时兼具半导体激光器低成本及结构紧凑等优点,在激光显示、激光泵浦及生物医学研究等领域均有很好的应用前景.
会议
AlGaN是第三代宽禁带半导体材料的重要代表之一,可广泛应用于紫外光电子器件及电子器件,因而受到极大的关注.近年来,随着AlN/蓝宝石模板等技术的突破和发展,AlGaN基紫外LED的性能也获得快速提升,国内外多家机构相继研制出了单芯片出光功率达毫瓦级的平面结构AlGaN基深紫外LED(发光波长短于280 nm)[1-2].
会议
Ⅲ族氮化物半导体材料在固态照明、蓝光激光器、高迁移率高功率电子器件中已经得到了成功的应用,向深紫外和更高的功率密度发展正在成为大家关注的热点.AlN及其合金的带隙覆盖了200-365nm紫外光谱范围,是制备深紫外光电器件和高频大功率微波器件的理想材料,引起国内外的广泛关注[2-5].
会议
Ⅲ族氮化物半导体深紫外LED在水净化,紫外线治疗,生物分析等方面有巨大的应用价值和潜力[1].然而,尽管人们在深紫外LED方面开展了大量研究工作,但极低的光抽取效率依旧限制深紫外LED的性能,尤其随着Al组分提高,波长越短,LED的效率也越低[2,3].
会议
AlN has a good application for ultraviolet optoelectronic devices and high power electronics, due to its know n properties of wide direct band gap (~6.1 eV), high temperature stability, and high therm
会议
利用理想能源金属有机气相外延(MOCVD)设备在蓝宝石衬底上,采用不同温度下生长的AlN缓冲层组合,沉积Al0.5Ga0.5N薄膜.高分辨率XRD和AFM测试表明,采用中等温度温800C生长的AlN缓冲层与高温1100C生长的AlN缓冲层组合,生长的1um Al0.5Ga0.5N薄膜晶体质量最优,其(002)面半峰全宽约为70 arcsec,(104)面半峰全宽约为240 arcsec,表面粗糙度
会议
紫外探测器在导弹预警、保密通信、大气环境监测、物质成分分析等军事和民用领域有重要应用.其中,很多应用场合需要识别单光子量级的极微弱紫外信号,这对探测器的灵敏度提出了很高要求.雪崩型紫外探测器由于具有内部增益,可以提高系统整合度,降低噪声,同时相比光电倍增管等传统真空器件更加可靠,因而是目前微弱光紫外探测器研究的主流方向[1].
会议
高纯氨气是氮化镓技术关键原材料,为客户提供不间断气体供应系统是解决MOCVD工艺制备氮化镓材料的关键,为了满足高纯氨供气多样性需求,本文研究对大流量氨气供气系统的影响因素,包括氨气汽化量、流速、使用压力以及残留量质量等、进一步确定供气系统的优化条件,利于设计选择高纯氨供气系统.
会议