【摘 要】
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本文用X射线光电子能谱仪(XPS)系统研究了紫外光(UV/Ozone)激发下砷化镓(GaAs)表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成,氧化层的厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验
【机 构】
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北京通美晶体技术有限公司,北京 101113
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文用X射线光电子能谱仪(XPS)系统研究了紫外光(UV/Ozone)激发下砷化镓(GaAs)表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成,氧化层的厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验数据,探讨紫外光激发下砷化镓的表面氧化反应机理以及动力学历程。结果表明,紫外光激发的氧化反应不同于热氧化反应,反应主要生成Ga2O3和As2O3可以而且二者比例几乎相等,氧化过程可以分为两个不同阶段,初始阶段为线形生长,随后变为抛物线生长。
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