论文部分内容阅读
分布反馈(DFB)半导体激光器是现代光通信系统及红外探测中核心光源器件，光栅的设计和制作是决定器件性能的关键因素之一。传统光栅制作方法中，制作的光栅大面积均匀性较差、重复性不高；电子束光刻虽然具有精度高的优点，但其成本高产能低，不被光电子器件产业所接受。纳米压印兼具有精度高、成本低、生产效率高的优点，且可在同一衬底上一次制作出不同光栅周期。本研究组利用纳米压印技术，优化制作工艺，制作出1520～1565nm覆盖完整光通信C波段的高质量光源，以及用于瓦斯探测的1650nm光源。