【摘 要】
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研究了反应烧结方法制备的SiC/Si复合材料900℃和1300℃的高温氧化过程,为SiC/Si复相材料的高温应用及减缓高温氧化提供参考.结果表明, SiC/Si复相材料的高温氧化动力学遵循近似抛物线规律,随碳化硅粒子尺寸的增大, SiC/Si复相材料的氧化程度降低.分析了SiC/Si复相材料的氧化过程和氧化产物.
【机 构】
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西北工业大学(陕西西安) 西安交通大学(陕西西安)
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研究了反应烧结方法制备的SiC/Si复合材料900℃和1300℃的高温氧化过程,为SiC/Si复相材料的高温应用及减缓高温氧化提供参考.结果表明, SiC/Si复相材料的高温氧化动力学遵循近似抛物线规律,随碳化硅粒子尺寸的增大, SiC/Si复相材料的氧化程度降低.分析了SiC/Si复相材料的氧化过程和氧化产物.
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