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我们回顾了等离子体辅助化学气相沉积(CVD)法合成高导电石墨烯技术的发展.等离子体能够增强碳源气体的分解，如甲烷和激活催化剂，提高石墨烯的产率.如果碳浓度提高、金属催化剂表面的成核密度增加，得到的石墨烯的尺寸越小.对于等离子体CVD来说，其碳浓度应远低于热力学CVD.降低石墨烯合成过程中的碳浓度，也就是相当于抑制其成核密度，这是一种增大石墨烯晶体尺寸和提高其少层石墨烯可控性的方法.我们开发了一种等离子体CVD合成石墨烯的方法，该方法通过很低的碳源浓度来提高石墨烯透明导电薄膜的晶体品质和电学特性.得到的双层石墨烯的载流子迁移率在1000cm 2/Vs以上、方阻小于150Ω.我们展示了石墨烯透明导电薄膜卓越的灵活性和展示一些柔性设备.本文是基于新能源和工业技术发展组织(NEDO)所支持的一个项目的部分结果得到的.