论文部分内容阅读
海河入海口是我国北方典型的淤泥质河口.1958年河口建闸后,由于下泄径流量逐年减少,河口淤积严重,造成河口过流能力急剧下降,对海河流域下游地区的防洪安全构成严重威胁.本文通过对海河口水文泥沙特性及治理方式的分析对比,探讨河口淤积原因及近期和远期的河口治理方式.
海河口淤积原因及治理方式探讨
【摘 要】
：
海河入海口是我国北方典型的淤泥质河口.1958年河口建闸后,由于下泄径流量逐年减少,河口淤积严重,造成河口过流能力急剧下降,对海河流域下游地区的防洪安全构成严重威胁.本文
【机 构】
：
水利部海河水利委员会
【出 处】
：
中国水利学会2002学术年会
【发表日期】
：
2002年10期
其他文献
介绍了国外柴油加氢脱硫过程.其中包括催化剂的选择、反应器内部构件、反应条件对产品质量的影响、柴油深度脱硫技术、柴油超深度脱硫技术和优质柴油组合加工技术.
为了改善Si基LED的电流扩展问题,以及降低其工作电压,本论文阐述了一种工艺简单的新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED),利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底
针对清洁燃料生产中关于柴油硫含量的限制问题,重点介绍了柴油加氢脱硫的常规技术,及生物脱硫、氧化脱硫、吸附脱硫等非常规柴油脱硫技术.
本文从催化裂化催化剂、加氢催化剂、重整催化剂及工艺的研究开发及FCC汽油脱硫技术,汽油和柴油清净剂等方面介绍了清洁燃料生产技术.
对用热壁化学气相沉积法(HWCVD)在6H-SiC衬底上外延生长的SiCGe单晶薄膜进行了变温光致发光(PL)测试,测试温度从13K到300K。发现PL峰的强度随着激光辐照过程的持续而升高,并
GaN基白光LED以其效率高、响应快以及尺寸小等优点,有望成为下一代的照明光源。但是要想取代传统照明光源,LED的光输出仍然是一个局限。提高光输出最直接的办法就是提高工作
本文通过用445 nm的GaN基蓝光半导体激光器作为激发光源激发黄色和红色混合荧光粉制备了固态白光光源。注入电流为350mA时光通量达到52lm,能效为31lm/W,显色指数为72.7,相关
宽禁带半导体材料-SiC和GaN具有禁带宽度大,热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电场高等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件等方面具有广泛的应用前景。
本文在研究分析驰豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈
近年来,长江流域及其河口日益加剧的人类活动和资源开发,使得河口地区的生态环境,包括水文泥沙条件、河势演变、盐水入侵、水质、生物物种和河口湿地等都发生了一系列的显著