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本文以PC1D软件计算结果为依据，进行了GaAs/导电玻璃多晶薄膜太阳电池基本结构设计。分析表明，较大的晶粒尺寸是获得较好多晶薄膜电池性能的必要条件；晶粒较小时，背场(BSF)可显著改善电池性能。此外，以现阶段GaAs多晶薄膜材料为依据，模拟得到的理论I-V 特性较差。为此，文中提出并理论计算证明，以p-i-n 结构或建立界面势垒可显著改善其性能。