【摘 要】
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采用发射波长为980nm的InGaAs/GaAs应变量子阱,在垂直腔面发射结构中共设计生长三组,每组三个量子阱,形成周期增益结构,并使每组均位于腔场极大处,以获得最好的增益匹配.为提
【出 处】
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全国第十二次光纤通信暨第十三届集成光学学术会议
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采用发射波长为980nm的InGaAs/GaAs应变量子阱,在垂直腔面发射结构中共设计生长三组,每组三个量子阱,形成周期增益结构,并使每组均位于腔场极大处,以获得最好的增益匹配.为提高激光器的输出功率及获得较好的光束质量,采用大台面直径和由衬底面出射激光的结构.器件的直径由400微米到600微米.在室温连续工作下器件的最大输出功率达到1.4W,激光器激射波长995.5nm,光谱半宽2nm,远场发散角为16°.
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