电子束直写相关论文
使用电子束直写加工工艺,在石英基底上完成了亚微米级8台阶二元光学元件的光刻加工。由于石英基底为绝缘体,导电性差,不利于电子束......
亚波长金属微纳结构因其特有的表面等离激元的激发、耦合、传输所引起的丰富特殊的光学性质而成为当前信息技术、探测传感、生命科......
该文报导了用电子束直写研制亚微米器件的结果，研究人员针对不同的电子束机型，采用了不同的电子束曝光工艺（包括抗蚀剂工艺、曝光工艺......
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电......
电子束光刻技术是推动微电子技术和微细加工技术进一步发展的关键技术之一,尤其在百纳米到纳米加工领域的科研和开发中,电子束光刻......
随着移动通讯系统的迅速发展,声表面波器件(SAW)使用频率不断提高,从最初的几MHz到现在的几GHz,其线宽也进入亚微米、深亚微米阶段......
报道了采用电子束直写制作计算全息图(CGH)的新方法,该方法与传统的计算全息图制作方法相比可以明显提高CGH再现的像质(信噪比和对......
电子束光刻邻近效应校正技术是采用电子束直写光刻技术开展纳米器件和集成电路研制中的关键技术。虽然电子束光刻系统具有纳米级的......
传统的光刻生产工艺 ,有不可克服的光学极限。压印光刻法为集成电路的生产提供了一种快速、经济的方案。采用电子束直写、步进制模......
报道了采用电子束直写制作计算全息图(CGH)的新方法,该方法与传统的计算全息图制作方法相比可以明显提高CGH再现的像质(信噪比和对......
报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果.在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长7......
有机光波导放大器相对于其他光放大器有价格低、易于制作、便于集成的优势.我们研究了它的工作原理,综述了有机波导放大器的几种制......
通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程,探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径.实验结果表明:邻近效应现象是一种综......
该文提出了一种修正电子束直写／制版时邻近图形对深亚微米线条的影响的算法。通过一组简单图形的电子束暴光测得不同宽度的图形对不......
该文报导了用电子束直写研制亚微米器件的结果，研究人员针对不同的电子束机型，采用了不同的电子束曝光工艺（包括抗蚀剂工艺、曝光工艺......
以电子束光刻和聚焦离子束为核心的带电荷粒子束图形化加工工艺因其具有产生高分辨原始图形的能力,在芯片制造、掩模版加工、掩膜......
器件尺寸进入深亚微米领域后，诸如短沟道效应、热载流子效应和较大的漏电特性等小尺寸效应成为器件进一步等比例缩小的最大障碍。为......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
低效取样光栅是激光取样技术的一种重要元件 ,它可以看成离轴的二相位的菲涅耳波带板。基于菲涅耳波带板的形成原理 ,对取样光栅的......
多阶相位器件是一类具有极高衍射效率的光学元件,主要应用于光互连、光通信、平面光学、折衍混合光学等方面.本文采用电子束直写曝......
介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和J......
摘 要:基于电子束直写技术在纳米尺度刻蚀的标准过程,探索适用于单晶样品的刻蚀工艺,在微米尺度上建立一套方案,给出各步骤条件参......
从HEBS玻璃能量作用机理和曝光量与透过率关系着手，研究利用电子束直写曝光的方法，在HEBS玻璃上制作8阶菲涅尔透镜变灰阶掩模，得到掩......
电子束直写在微纳加工领域有着非常广泛的应用。为了能够实现低成本电子束直写微加工，提出了一个基于Igor Pro的简易方法,此方法的......
对X射线掩模电子束制备图形过程建立三维有限元模型,提出用热流密度等效法简化瞬态热应力计算,得到了X射线掩模在电子束直写过程中......
介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和J......
电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子......
报道了W波段GaN三级放大电路的研制结果。采用电子束直写工艺在AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的'T'型栅结构。......
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术......
前身徕卡微系统的Vistec半导体系统公司目前供应宏观缺陷检测、缺陷评估与分类工具、光掩膜量测，以及电子束直写与光掩膜制作系统。......
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报道了一种采用电子束直写70nm"Y"型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器。器件的最大跨导可达到1 050mS/mm,最大电流......
传统的光刻生产工艺，有不可克服的光学极限。压印光刻法为集成电路的生产提供了一种快速、经济的方案。采用电子束直写、步进制模、......
TN305.7 2002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximity correction for improving pattern qualityin submicr......
电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子......
采用PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌。利用干法刻蚀和湿......
