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12-17GHz HEMT宽带低噪声放大器
【机 构】
:
电子部十三所
【出 处】
:
1993年全国微波会议
【发表日期】
:
1993年期
其他文献
报道了南京电子器件研究所研制的Ku波段HEMT单片低噪声放大器的研究结果。利用CAD软件对单片电路进行了优化设计,设计工作包括MBE材料、器件和电路三部分。
报道了两种结构的InP基赝晶InAlAs-InGaAs HEMT材料及器件的设计与制作基础工艺,实现了直流特性良好,最大跨导分别高达550mS/mm和750mS/mm的器件样品。
该文介绍了一种设计制作Ku频段宽带低噪声放大器的方法,放大器采用四级HEMT级联放大技术,利用HP-EESOF软件进CAD设计,最终达到的技术指标为:在10.95~12.75GHz的频率范围内,功率增益大于50dB,噪声系数1.4~1.9dB,1dB压缩点输出电平大于