论文部分内容阅读
Ｋｕ波段ＨＥＭＴ低噪声放大器
【机 构】
：
西安空间无线电技术研究所
【出 处】
：
中国电子学会空间电子学专业学术年会
【发表日期】
：
1992年期
其他文献
本文介绍了星用C波段低噪声场效应晶体管研制过程中材料、0.25um精细准“T”型栅、金属化系统、Si＜，3＞N＜，4＞钝化、装架技术和颗粒噪声（PIND）等多项可靠性专题研究。给出了研制的高可
报导了我们提出并由上海冶金所外延生长成功的双应变富Ｉｎ沟道Ｉｎ〈，０．４〉Ａｌ〈，０．６〉Ａｓ／Ｉｎ〈，０．８〉Ｇａ〈，０．２〉Ａｓ／ＩｎＰ新结构及用该结构研制的ＰＨＥＭＴ器件。
该文给出了一个为卫星通信地面站研制的3.7～4.2GHz低噪声致冷GaAsFET放大器。由于采用V—M小型制冷设备，大大降低了放大器工作环境温度，使得放大器噪声性能得到显著改善。当放大
该文概述了为国防科研配套的１２千兆赫低噪声放大器，在环境温度为７７°的工作条件，获得了如下的特性：工作宽带１千兆赫，增益３５ｄＢ，噪声系数为０．３ｄＢ。