调制阳离子比例提高铜锌锡硫硒太阳电池转换效率

来源 :第八届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:one_tester
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  铜锌锡硫硒(CZTSSe)具有组成元素储量丰富、带隙可调、吸光系数高、理论效率高等优点,是薄膜太阳能电池理想的吸光材料.但由于CZTSSe对应的单一相区域十分狭窄,所以制备纯相CZTSSe薄膜非常困难.然而想获得高性能CZTSSe太阳电池,使用单一相CZTSSe作为吸收层是必要的.陈时友等人应用第一性原理计算得出在贫Cu富Zn条件下(即阳离子比例为Cu/(Zn+Sn)≈0.8、Zn/Sn≈ 1.2)更容易获得高效太阳电池.但不同制备方法,其最佳阳离子组成变化很大,这表明CZTSSe的最佳阳离子组成可能会因为一些不可避免因素而不同.本工作使用二甲基亚砜(DMSO)作为溶剂制备了五组不同Zn/Sn比例的前驱体溶液,最终得到kesterite结构CZTSSe薄膜,并进一步制备成CZTSSe太阳电池.通过调制阳离子比例减少了界面二次相以及优化CZTSSe/Mo界面结构,从而降低反向饱和电流J0,增加并联电阻Rsh.并且由于吸收层中Cu/(Zn+Sn)降低,导致CuZn受主缺陷浓度减少,使CZTSSe薄膜中净载流子浓度降低,从而拓宽太阳电池耗尽层宽度Wd,提高器件光电流JL.最后通过优化阳离子比例,当Cu/(Zn+Sn)=0.71,Zn/Sn=1.05时,我们获得了最高的光电转换效率8.6%.
其他文献
硒化工艺作为制备高效Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe)太阳能电池的关键因素,近年来受到越来越多的关注.然而,在硒化过程中低活性的硒会形成有害的硒团簇,并在CZTSSe吸收层中积累[1-3].硒团簇的存在不仅降低了CZTSSe吸收层的导电性,而且增加了载流子复合的可能性,从而恶化CZTSSe太阳能电池的光电转换效率[2-3].我们提出使用具备独特萃取性能的SCCO2处理策略[4]来解决硒
对于铜铟镓硒(CIGS)等薄膜多晶异质结太阳能电池,其性能在空间分布上往往具有非均匀特性。来自器件不同层的寄生电阻效应被认为是导致这种非均匀特性的重要因素[1],而若通过实验来检验不同参数的影响,势必造成巨大的时间和资源浪费[2]。因此,本工作基于二维数值模拟工具SPICE,对CIGS电池的寄生电阻效应进行了系统的研究。具体来说,我们首先建立了二维分布式等效电路模型[3]用于模拟实际CIGS电池的
硫化锑Sb2S3是一种新兴的薄膜太阳能电池吸收层材料,由于合适的带隙(~1.7eV)和高吸收系数(1.8×105cm-1)以及元素资源丰富和无毒特性而备受关注[1,2].本课题组采用气相输运沉积法制备了8b2S3薄膜太阳能电池并研究了蒸发源-衬底距离对Sb2S3薄膜太阳能电池性能的影响,实验发现通过优化蒸发源与衬底之间的距离将光电转换效率从0.83%提高到3.02%.图1(a)是制备8b2S3薄膜
铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)薄膜太阳能电池能量转换效率已达到23.35%[1],该电池温度系数低、弱光性能好、抗辐射能力强,是最具潜力的薄膜太阳能电池之一.采用三步共蒸发法制备CIGS薄膜,可形成V型Ga浓度梯度,不仅更充分吸收长波光,形成的背电场也促进了光生载流子分离,提升电池效率[2].本文利用分子束外延设备,在制备有Mo背电极的玻璃基底上,采用三步共蒸发法制备CIGS薄膜.
异质结界面复合是限制CIGS性能提升的关键问题.目前,在CIGS太阳能电池中通常采用化学水浴沉积(CBD)制备的CdS作为n型缓冲层并且其器件效率达到了22.9%,仅次于世界纪录效率(23.35%).因此对CdS进行掺杂,优化CdS特性,改善其与CIGS界面质量有望进一步提高CIGS太阳能电池效率In掺杂CdS是一种有效的提升CdS光电特性的方法.但是In2S3的溶度积常数极低,通过传统的CBD工
在CZTSSe太阳能电池中,Voc损失较大的本质原因可以归结于吸收层体相中的深能级缺陷.其中,SnZn反位缺陷作为最主要的深能级施主缺陷,严重损害了CZTSSe太阳能电池的Voc.SnZn缺陷会在CZTSSe的禁带中形成间接的复合中心,产生电子-俘获效应,降低少数载流子寿命[1-3].此外,SnZn反位缺陷还会和CuZn反位缺陷形成[2CuZn+SnZn]的缺陷簇.这些缺陷簇会引起带隙或静电势的波
Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe)光伏器件的低开路电压(VOC)是制约CZTSSe器件效率提升的关键因素.CdS与CZTSSe之间的能带失配是造成CZTSSe器件中光生载流子界面复合严重,导致开路电压亏损的一个主要原因.本工作中我们使用CBD方法,使Zn部分替代Cd形成均匀致密的Zn1-xCdxS缓冲层薄膜.测试结果表明Zn2+的引入改善了CZTS/CdS界面的能带排列,在异质结界面处
光伏发电的广泛应用为我国发展绿色经济和清洁高效的能源结构提供了新思路.在最近几年时间里,众多新型半导体材料被应用于光伏领域,其中宽带隙、廉价、稳定、无毒的全无机太阳能电池在叠层太阳电池顶电池上表现出巨大的潜力.Sb2S3本身带隙较宽(1.7 eV)、光吸收系数高且具有无毒、廉价等特性,较适合作为太阳能电池的活性层.另外,电子缓冲层具有提高电子的抽取和阻挡空穴的作用,且由于TiO2材料具有环境友好的
碲化镉和铜铟镓硒薄膜太阳能电池已经实现了大于22%的光电转化效率,但Cd的毒性和In、Ga元素的稀缺性一定程度限制了其广泛应用,需探索新型无毒、高元素丰度的薄膜太阳能电池.锑基硫族化合物薄膜太阳能电池近年来发展迅速,受到广泛的关注.锑硫硒[Sb2(S,Se)3]合金薄膜,因其带隙在1.1 eV到1.7 eV之间连续可调,覆盖了Shockley-Queisser极限效率对应的最佳带隙(1.3 eV)
Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳能电池由于其良好的光伏性能及无毒丰产的元素组成受到国际上的广泛关注,迄今已达到接近13%的能量转换效率,但是距离理论能量转换效率(33%)仍然相差甚远。对于这种多层结构的薄膜电池器件,除吸收层外,器件上下接触界面(P-N异质结界面、背接触界面)质量是影响器件性能提升的关键因素。针对背接触界面不利的相分解反应、过厚的MoSe2层等关键问题,我们提出