论文部分内容阅读
目前,硅表面钝化材料Al2O3由于其适合于高效工业化电池的钝化引起了广泛的关注.本文采用了非破坏性的表面光伏法(SPV)结合微波光电导衰减法,研究了由热-原子层沉积(Thermal-ALD)技术生长的Al2O3对n-型晶体硅的表面钝化特性.结果表明,Al2O3介质层优异的钝化效果主要是由于Al2O3/Si界面缺陷态密度的大幅减少引起的,即化学钝化在钝化效果中起着关键作用.此外,通过试验证明SPV是一种对界面特性进行研究的非常灵敏的无损检测方法.