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基于氧化物半导体的薄膜晶体管(Oxide TFTs)以其优异的性能被认为是在AMOLED 显示中具有很大的应用潜力一种TFT [1,2]。与传统的硅基TFT 相比,氧化物TFT 具有载流子迁移率较高、电学性能均一性好、对可见光透明、工艺温度低、成本低以及可大面积制备等优点。随着研究的不断深入,氧化物TFT 的迁移率、开关比、阈值电压等方面的性能已经基本满足驱动OLED的需要,但是氧化物TFT 的电学、光学稳定性是目前产业化面临的主要问题。