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随着器件沟道的缩小，垂直方向电场的影响不能忽略，使得阈值电压的计算变为一个复杂的二维问题。本文用半导体表面载流子与电场的作用能建立了载流子的能量积分，然后用直接变分法求解了这个方程得到了一个高精度的超深亚微米MOSFET阈值电压表达式，该表达式的计算结果与数值模拟结果高度一致。
一种超深亚微米MOSFET阈值电压的高精度模型
【摘 要】
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随着器件沟道的缩小，垂直方向电场的影响不能忽略，使得阈值电压的计算变为一个复杂的二维问题。本文用半导体表面载流子与电场的作用能建立了载流子的能量积分，然后用直接变
【机 构】
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安徽大学 电子信息工程学院,安徽230000
【出 处】
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2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会
【发表日期】
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2010年期
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