【摘 要】
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GaN基半导体材料在紫外/蓝光/绿光发光二极管、激光器、探测器,以及高频高温大功率电子器件等方面有着重要而广泛的应用.目前,高质量的GaN材料通常由MOCVD和MBE在高温条件下进行生长,本文依托RF-MBE提出了两种非高温的方式来增加原子的表面迁移能力，为进而实现高质量GaN的低温生长提供可能的途径的离子。本文研究了在低温生长时，离子轰击对材料质量的影响，样品D在生长过程中将氮等离子体源出口处的
【机 构】
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清华大学电子工程系,北京,100084
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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GaN基半导体材料在紫外/蓝光/绿光发光二极管、激光器、探测器,以及高频高温大功率电子器件等方面有着重要而广泛的应用.目前,高质量的GaN材料通常由MOCVD和MBE在高温条件下进行生长,本文依托RF-MBE提出了两种非高温的方式来增加原子的表面迁移能力，为进而实现高质量GaN的低温生长提供可能的途径的离子。本文研究了在低温生长时，离子轰击对材料质量的影响，样品D在生长过程中将氮等离子体源出口处的偏压关闭，从而让离子到达样品表面进行轰击，其它生长条件与样品C-致。其XRD和AFM的测试结果如Table 1所示，从中可以看出，此时的离子轰击减小了FWHM(002)和RMS，但增加了FWHM(102)，说明离子轰击增强了C轴取向，减小了刃位错，但增加了螺位错。样品D的RHEED图如Fig, 2(d)所示，从中可以看出，离子轰击并没有使表面更粗糙。
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氧化锌等宽禁带半导体材料,经过掺杂可实现自旋特性与电荷特性的结合,可在高密度非易失性存储器、磁感应器、半导体集成电路、光隔离器件和半导体激光器集成电路以及量子计算机等领域有巨大的应用潜力.为便于实际应用,材料的居里温度须高于室温.目前已有许多研究报导了过渡族元素掺杂氧化锌具有室温铁磁性,但对于其磁性的来源依然存在争议,更有研究认为磁性来自于掺杂剂形成的磁性单质或第二相.因铜及其氧化物都不具有磁性,
与第一代和第二代半导体材料相比,氮化镓(GaN)具有更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场强度以及更高的电子迁移率.由于Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的极化效应,在AlGaN/GaN异质结界面处可形成高浓度、高迁移率的二维电子气.总之基于AlGaN/GaN的电力电子器件具有高击穿电压、低导通电阻、低开关损耗、耐高温等显著优势,成为近年来电力电子领域研究的热点.目前GaN基电力电子器件的研究取得了很大进展,器件的击
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