【摘 要】
：
通过在颗粒硅带(SSP--Silicon Sheet from Powder)衬底上进行外延多晶硅薄膜、发射区扩散、掩膜法制作上下电极等工艺,制备了以颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜(poly-CsiTF)太阳
论文部分内容阅读
通过在颗粒硅带(SSP--Silicon Sheet from Powder)衬底上进行外延多晶硅薄膜、发射区扩散、掩膜法制作上下电极等工艺,制备了以颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜(poly-CsiTF)太阳电池,所制得电池的最高转换效率达到6.05﹪(电池面积1cm<2>).通过对电池性能参数的测量、分析,讨论了颗粒硅带制备工艺以及外延层质量等因素对太阳电池性能原影响.
其他文献
本文主要探讨和研究了工业控制计算机系统的抗干扰设计,从硬件和软件两方面对干扰的形成、抗防方法作了详细的说明,并给出了具体的设计实现方法,经应用实践证明,采用有关的设
工业窑炉运行中具有滞后和不确定因素.由于难掌握其准确的模型,所以控制误差较大.本文采用预测控制的思想,并结合神经网络和模糊控制的优点,提出了一种智能的预测控制方案,从
超声喷雾热解技术和低温等离子体轰击表面改性是制备高阻透明SnO单层膜及低阻/高阻SnO复合膜的有效手段.所沉积的薄膜用于CdTe太阳电池,可以有效降低电池的暗电流,提高其并联
本文在对条形电池优化设计和实验的基础上,优化设计了大面积(10cm×10cm)电池,并设计和研究了内电极的制备.介绍了在此方面取得的研究成果.
以RTCVD方法在低成本衬底—颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm上得到的最高转换效率为7.4﹪,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm,填充因子0.697.外延晶体硅薄
本文分析了颗粒硅带(SSP:Silicon Sheet from Powder)的杂质、缺陷和晶粒尺寸以及电极设计对多晶硅薄膜太阳电池效率的影响.报道了用快速热化学汽相沉积法(RTCVD)在SSP上制备
介绍了一种新型超硬薄膜材料-氮化碳(CN)的组成和结构,并对其主要的力学性能,光学性能及应用进行了概述.并综述了氮化碳的反应溅射、化学气相沉积、离子注入、高压合成、激光
工业炉窑生产过程中常有迟延的存在,用传统控制方法不能获得满意的控制效果.为了解决这个问题,本文针对纯滞后系统的特点,给出了一种新的模糊神经网络Smith预测控制算法,即由
故障现象:无伴音。出现此类故障时,首先检查扬声器或耳机是否有问题,若耳机有问题,则检查耳机功放电路LM833(见图1)是否有问题;若扬声器有问题,则更换扬声器。若以上均正常,
本文对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积的氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)中的氧污染问题进行了比较研究.通过等离子体辉光的光发射