【摘 要】
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为了探索改进ZnO 纳米材料的新用途,实现便携式可弯曲平板显示,我们研究了柔性衬底上Al 掺杂对于ZnO 纳米材料的场发射性能的影响.本文采用化学气相沉积的方法在铜箔上分别制备了ZnO 和Al 掺杂ZnO(ZnO：Al)纳米材料,对它们的场发射性能进行了对比研究.SEM 图谱显示,两种样品都是呈六方纤锌矿结构的纳米棒阵列,垂直衬底沿C 轴择优生长.ZnO 和ZnO：Al 纳米棒阵列的开启电场(当电
【机 构】
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汕头大学理学院物理系,广东汕头,515063
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为了探索改进ZnO 纳米材料的新用途,实现便携式可弯曲平板显示,我们研究了柔性衬底上Al 掺杂对于ZnO 纳米材料的场发射性能的影响.本文采用化学气相沉积的方法在铜箔上分别制备了ZnO 和Al 掺杂ZnO(ZnO：Al)纳米材料,对它们的场发射性能进行了对比研究.SEM 图谱显示,两种样品都是呈六方纤锌矿结构的纳米棒阵列,垂直衬底沿C 轴择优生长.ZnO 和ZnO：Al 纳米棒阵列的开启电场(当电流密度为10 μA/cm2 时)分别为7.02 V/μm、5.58 V/μm,场增强因子分别为1927、2962.Al 的掺杂明显地提高了ZnO 纳米阵列的场发射性能.
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