【摘 要】
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本论文对垂直梯度冷凝法生长磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)单晶进行了研究：采用双温区合成法,在自制的高精度多温区管式炉进行多晶宏量合成,单次合成量超过500g；根据晶体特性,设计特
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
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本论文对垂直梯度冷凝法生长磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)单晶进行了研究：采用双温区合成法,在自制的高精度多温区管式炉进行多晶宏量合成,单次合成量超过500g；根据晶体特性,设计特定温场,采用垂直梯度冷凝法(VGF)在自制的单晶生长炉中进行ZGP单晶定向生长,温度梯度1-2℃/cm,生长速度0.2-1.0mm/h,获得完整单晶体,最大尺寸可达φ55×130mm,晶体位错密度为102.
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