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CNGS晶体是近几年出现的新型压电晶体，具有良好的热机械性能，受到广泛关注。复合功能材料一直是国内外的研究热点，我们利用Czochr......
研究了红外激光立方Yb3+掺杂KY3F10晶体,Czochralski技术生长了不同的掺杂浓度Yb3+的单晶,晶体生长后,测试了晶体的X射线衍射......
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本文利用MOCVD技术在缓冲层IMO薄膜上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜。相比于通常直接生长的ZnO薄膜，IMO缓冲层的应用可有效提高绒面ZnO薄......
采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×8线列器件,......
本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探......
本文采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×256线......
用量子阱技术生长的半导体材料作激光增益介质，半导体激光器作泵浦源，制作出了垂直外腔面发射半导体激光器，得到了中心波长1005nm、输......
采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光......
本文分析了影响超高阻区熔硅单晶质量的各种因素,提出采用减压流氩法并有针对性地采用专用线圈和独特的防电离技术生长Φ4″超高阻......
本文通过COCVD技术生长了实用化的InGaAs/InP PIN外延材料.利用这些材料研制生产了InGaAs PIN探测器,器件的高性能反映出MOCVD材料......
本文采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,并用量子点材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光与器件......
该文简单介绍了利用金相显微镜、扫描电镜和同步辐射等方法，在用固态再结晶技术生长的原生碲镉汞晶体中所观察到的缺陷，简单讨论了这......
该文报道用超高真空化学气相沉积系统（UHV/CVD）方法，采用锗岛缓冲层技术，在硅衬底上生长锗硅外延层。超高分辨电镜（HRTEM）显示，外延层界面......
该文简单介绍了利用金相显微镜、扫描电镜和同步辐射等方法，在用固态再结晶技术生长的原生碲镉汞晶体中所观察到的缺陷，简单讨论了这......
采用高压LEC工艺生长3inch掺Si GaAs单晶，掺杂浓度大于1×10/cm，晶体位错密度小于1×10/cm。实验发现，采用PBN坩埚和使用水含量较高的......
该文在细致分析研制HgcdTe红外焦平面器件如何对晶体材料参数进行选取与控制的基础上，对MoCVD技术生长HgCdTe薄膜材料的技术路线、......
该文报导了MBE技术生长GaAs/AlGaAs量子阱材料制作的长红外探测器的研究结果。将实验测量值同理论计算结果进行了比较，分析了量子阱......
日本在欧洲的Sharp实验室(SharpLaboratoriesofEurope雪研制成功了世界上第1个用分子束外延(MBE)生长技术生长的蓝-紫激光二极管。......
