Mg:Er:LiNbO晶体波导基片抗光损伤的研究

来源 :第五届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhenlijinping
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以Czochralski技术生长Mg(2mol﹪):Er(1mol﹪):LN,Mg(4mol﹪):Er(1mol﹪):LN, Mg(6mol﹪):Er(1mol﹪):LN, Mg(8mol﹪):Er(1mol﹪):LN,和Er(1mol﹪): LN晶体.测试了Mg:Er:LiNbO<,3>晶体的红外光谱,Mg(2mol﹪):Er:LN, Mg(4mol﹪):Er:LN OH<->吸收峰在3486cm<-1>附近,Mg(6mol﹪):Er:LN和Mg(8mol﹪):Er:LN晶体OH<->吸收峰移动到3535cm<-1>附近,对Mg:Er:LN晶体OH<->吸收峰移动机理进行研究.采用m线法测试Mg:Er:LN晶体光损伤阈值.Mg(6mol﹪):Er(1mol﹪):LN和Mg(8mol﹪):Er:LN晶体光损伤阈值比Er:LN晶体提高两个数量级以上.Mg(2mol﹪):Er:LN和Mg(4mol﹪):Er:LN晶体比Er(1mol﹪):LN晶体提高一个数量级.
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