【摘 要】
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器件采用了SiC衬底上生长的有GaN帽层的掺杂势垒AlGaN/GaN异质结构,Ti/Al/Au欧母接触,Ni/Au肖特基势垒接触,栅长为0.4μm的场调制板结构以及SiN介质钝化.该器件的电流增益截
【出 处】
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第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
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器件采用了SiC衬底上生长的有GaN帽层的掺杂势垒AlGaN/GaN异质结构,Ti/Al/Au欧母接触,Ni/Au肖特基势垒接触,栅长为0.4μm的场调制板结构以及SiN介质钝化.该器件的电流增益截止频率为28GHz,最高振荡频率为500Hz.1mm栅宽的该器件在8GHz,Vds=300V时,输出功率6.1W,功率增益为7.8dB,功率附加效率(PAE)40.3﹪
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