论文部分内容阅读
设计了一种隧道加速度计,对器件结构进行了数值仿真分析;在此基础上对器件进行了工艺研究,做出了较为理想的结果;隧尖尺寸为0.02μm×0.02μm,测出隧道电流为1.14~4.68nA.
MEMS隧道加速度计
【摘 要】
：
设计了一种隧道加速度计,对器件结构进行了数值仿真分析;在此基础上对器件进行了工艺研究,做出了较为理想的结果;隧尖尺寸为0.02μm×0.02μm,测出隧道电流为1.14~4.68nA.
【机 构】
：
北京大学微电子学研究院(北京)
【出 处】
：
第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
【发表日期】
：
2003年期
其他文献
本文综述了SOI(Silicon-on-insulator)技术的发展历程,SOI的主流技术,SOI技术发展的新动向,SOI技术的应用进展,并介绍了上海微系统与信息技术研究所和上海新傲科技有限公司的
光子晶体具有操控光子行为的独特能力,在众多领域有着广泛的用途.其研究发展仅十余年时间,目前已是很多国家竞相追逐的热点.本文介绍了光子晶体的结构特征,分析了光子晶体的
声表面波器件从1965年诞生到现在已走过了约38年的历程,目前已经发展成为一个巨大的新兴技术产业. 在电视、广播、通信雷达、遥测遥控等领域得到了广泛的应用.成为整机系统不
会议
本文基于文献[4]HaberlandⅡ型装置较系统实验了一定能量的Al、Mo、Cu等团簇束分别沉积在P-Si(111)、P-Si(100)及其SiO基底上生长薄膜的过程和一些结果并和常规磁控溅射的结
微机电系统(MEMS)与超大规模集成电路(ULIC)进一步微型化集成化,急需微型冷却系统对其芯片等进行局部冷却.因此,基于硅微机械加工工艺的微型冷器被提上研究日程,并有望发展成
会议
谢克的真实竞争理论强调真实竞争中企业主动的价格削减行为。本文认为谢克对价格削减的强调实质是从非均衡角度考察置盐定理,但他的理论缺乏一般化模型。孟捷和冯金华明确提
本文简述了PDMS(俗称硅胶)的特性和微流体PDMS薄片的制作工艺,并讨论了气压、流量、轰击时间等因素对PDMS键合工艺的影响,总结出PDMS键合工艺中几个关键的参数.
在成功制备出EOT(Equivalent Oxide Thickness)为2.1nm N/O(SiN/SiO) stack栅介质的基础上,深入研究了其性质.我们的研究发现,同样EOT的N/O stack和纯SiO栅介质比较,前者对应
本文简要介绍了中国科学院微电子所在异质结双极晶体管(HBT)研究方面取得的一些成果.异质结双极晶体管(HBT)是国防、通信等高技术领域所需的关键器件之一.由于社会的信息化、
会议