本文成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的N/O叠层栅介质膜,并将其与W/TiN难熔金属栅电极技术结合起来,成功地制备出高质量的超薄N......

在成功制备出EOT(Equivalent Oxide Thickness)为2.1nm N/O(SiN/SiO) stack栅介质的基础上,深入研究了其性质.我们的研究发现,同样......

以等效氧化层厚度(EOT)同为2．1nm的纯SiO2栅介质和Si3N4／SiO2叠层栅介质为例，给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法，并在......

氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)因具有迁移率高、制备工艺简单、透光性好、可大面积制备等优点在高性能平板显示、可穿戴柔性电子、集......

随着MOSFET特征尺寸的不断减小,一些新的物理现象(如:栅极漏电增加、短沟道效应等)不断涌现。而栅极漏电的增加直接导致器件不能正......