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锑化物 Ⅱ 类超晶格材料特殊的能带结构使得其在理论上具有诸多优势，如探测波段覆盖广、对垂直入射光有响应、设计自由度高、截止波长均匀性可控等，此外基于成熟的Ⅲ-Ⅴ族材料生长技术，材料性能优良，器件工艺成熟。这些优势使得锑化物 Ⅱ类超晶格材料成为了HgCdTe材料以外的另一种优选红外探测材料。
InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器研究
【摘 要】
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锑化物 Ⅱ 类超晶格材料特殊的能带结构使得其在理论上具有诸多优势，如探测波段覆盖广、对垂直入射光有响应、设计自由度高、截止波长均匀性可控等，此外基于成熟的Ⅲ-Ⅴ族
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
【出 处】
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第十二届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2017年期
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