HgCdTe相关论文
20世纪50年代末,碲镉汞(HgCdTe)合金半导体材料的发明,奠定了热成像的技术和工程应用基础.1975年,美国提出基于第一代红外探测器的......
nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流,这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度.由于制造工艺的兼容性和晶格匹配......
红外光电探测技术发展至今已有近九十年历史。当前,红外探测系统的发展方向是更小尺寸（Size）、更低重量（Weight）、更小功耗（Power）、更低......
Energy harvesting from sun and outer space using thermoradiative devices(TRDs),despite being promising renewable energy ......
本文介绍了我所64×64HgCdTe长波焦平面器件的最新进展.该器件采用我所自己研制的LPB薄膜材料,离子束刻蚀反型成结.In柱倒装互连结......
用原子力显微镜对HgCdTe晶片表面损伤进行了非破坏性的检测,结果表明,原子力显微镜可以在原子级分辨率的水平直接测量HgCdTe晶片表......
本文通过在P-HgCdTe上生长自身硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特笥的分析,获得了ZnS/自身......
通过理论计算给出了理想中波光伏HgCdTe探测器性能与温度的关系,对探测器进行了变温测试,并与计算机结果进行了对比分析,结果表明:......
本文详细叙述了HgCdTe P-N结的环孔工艺的发展及现状,分析了环孔工艺的理论机理,介绍了HgCdTe环孔P-N结的检测技术,并对HgCdTe环孔......
High performance LW HgCdTe IRFPAs on ZnCdTe were demonstrated by many published papers.Compared with the results on alte......
为研究能在较高温度(140-200)工作的光伏红外探测器，在GaAs衬底上MBE生长的HgCdTe(x=0.31)p型材料上制作了光伏器件，研究了其在77K—......
Ar束溅射沉积技术实现了HgCdTe表面钝化介质CdTe、ZnS的低温生长。对材料的各项性能指标进行了实验分析，通过介质膜对n-HgCdTe光导......
根据由离子束刻蚀HgCdTe pn结C-V曲线,判定其为线性缓变结;由1C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽......
As掺杂HgCdTe薄膜材料在研制高工作温度(HOT)红外探测器方面有着特殊的用途, 能够有效抑制高温下产生的复合电流。富Te液相外延中A......
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报道了利用As4作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEH......
介绍使用两个红外半导体激光器，一束为可调谐Pb1-xSnxTe激光.另一束为GaAs/GaAlAs激光，经光学系统均会聚成φ250 μm的小光点，且将二......
报道了HgCdTe阳极硫化 ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果。系统地介绍了HgCdTe阳极硫化 ZnS钝化膜的制备,Br2......
温度烘烤是pn结型器件加速实验的常用方法之一。针对室温工作的短波碲镉汞(HgCdTe)红外探测器开展了真空烘烤实验研究。实验样品分......
经过多年的研发工作，制冷型碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)中波红外探测器已经实现了批量化生产能力，其阵列规格也从最初的......
在短波红外成像光谱技术的应用背景下,对HgCdTe短波红外焦平面探测器的校正技术进行研究,包括坏像元校正和非均匀性校正,并提出先......
本文简要介绍了 nBn势垒阻挡结构器件的提出、发展过程。讨论了 nBn型器件的工作机理及其对暗电流的抑制机理。对比了普通碲镉汞 n......
液氮冲击下,碲镉汞(HgCdTe)焦平面探测器中层状材料间线膨胀系数的不同将会在层状材料中产生热失配,过大的热失配应力将引起HgCdTe......
本文对中波HgCdTe APD进行二维数值模拟,通过与实验结果的对比获得80K下PIN结构的APD器件参数.对不同工作温度下的APD器件暗电流机......
HgCdTe材料的表面缺陷是造成探测器性能下降的主要原因之一.采用聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)、扫描电子显微镜(Scanning Ele......
The intense laser damage detector is a very complicated process,which is mainly determined by the laser parameters a......
Semiconductor photovoltaic detectors can be well designed to achieve excellent transient response performance,and be......
为深入分析高重复频率CO2激光对HgCdTe晶体的损伤机理,开展了高重复频率CO2激光对HgCdTe晶体的温升实验,测得了不同激光重复频率(1......
现已实验演示了长波红外HgCdTe和GaAs量子阱128×128元凝视列阵成象仪。本文中,我们对探测器列阵性能特点进行对比,讨论这两种技术......
本文对光注入下ＨｇＣｄＴｅ半导体中等离子振荡频率及其红外反射谱的变化进行了研究，讨论了利用这种变化提高红外探测灵敏度的一种方案。
In t......
通过测量ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ探测器电阻与温度的关系及激光辐照下电阻随时间的变化，建立了热模型，计算了三种损伤机制下的激光损伤阈值。
By measuri......
3.2.1 输入放大器噪声BDI输入放大器的噪声功率谱,e_n~2(f)是典型的1/f~(0.8)关系,在1Hz下,密度为0.5μV/Hz~(1/2)。通常,噪声密......
本文尝试采用非含水的ＮＨ４Ｆ或ＫＦ以及含水的ＫＦ电解质溶液对Ｈｇ（１－ｘ）ＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）表面的阳极氟化进行了研究，着重分析了阳极氟化膜生长的基本过程及其机理，讨论了阳极......
研究了长波ＨｇＣｄＴｅ光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算问题。结果表明：制成器件后，表面电导、材料电导率的变化和背景辐射都将使器件......
文中报道了碲镉汞的反常高电子迁移率。变磁霍尔测量和小光点扫描红外透射测量结果表明，反常高电子迁移率碲镉汞样品中存在导电非均......
一、材料生长1.HgCdTe分子束外延技术:材料性能集锦(Owen K.Wu)2.分子束外延中HgCdTe生长条件的精确控制(Masaya Kawano)3.利用三......
1.在Cd和Zn结尾的{001}GaAs上两维分子束外延{001}CdTe(N.K.Dhar)2.在金属有机物汽相外延系统中利用Ge界面层在Si上生长CdTe的研......
3.n~+在p上和p在n上的光电二极管结构的比较让我们设想一种典型的高质量n~+在p上(或p在n上)的HgCdTe光电二极管结构(见图1),这种......
利用离子束对光导ＨｇＣｄＴｅ芯片阳极氧化膜、ＣｒΑＡｕ电极和ＨｇＣｄＴｅ芯片的成形进行刻蚀，要求ＨｇＣｄＴｅ芯片表面温度不能超过８０℃
The ion beam HgCdTe chip anodized ......
从理论上对n~(+)在p上和p在n上的HgcdTe光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机理控制的热发生的结......
本文详细描述长波红外(LWIR)HgCdTe(MCT)探测器线列生产的设计、制造和测试方法。组件化制造方式把焦平面列阵(FPA)组件中元件设计......
对ＨｇＣｄＴｅ光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生ｐ－ｎ结模型，并以此模型为基点，结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。
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运用傅里叶红外显微光谱技术测量了ＨｇＣｄＴｅ晶片上透射光谱分布，并通过编程处理，得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分分布和截止波长分布图。
The transmission spe......
