【摘 要】
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本研究採用溶膠-凝膠法於石英基材沉積含有Cu-Fe-O 之薄膜,之後,再以不同溫度及氣氛下的常壓電漿施以退火處理.在溫度550 ℃、600 ℃、650 ℃及700 ℃不同氣氛下於特定的退火條件,可獲得透明導電CuFeO2 單一相.薄膜整體厚度約為105～184nm,在可見光700 nm 下所有試片其穿透率約在37％範圍附近,在室溫UV-vis 波長190～1100 nm 分析下,可看見3 個吸收邊
【机 构】
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國立高雄應用科技大學 化學工程與材料工程系
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本研究採用溶膠-凝膠法於石英基材沉積含有Cu-Fe-O 之薄膜,之後,再以不同溫度及氣氛下的常壓電漿施以退火處理.在溫度550 ℃、600 ℃、650 ℃及700 ℃不同氣氛下於特定的退火條件,可獲得透明導電CuFeO2 單一相.薄膜整體厚度約為105～184nm,在可見光700 nm 下所有試片其穿透率約在37％範圍附近,在室溫UV-vis 波長190～1100 nm 分析下,可看見3 個吸收邊界,其光學直接能隙估算為2.90～3.04 eV.CuFeO2 薄膜有2 個主要活性模式分別為,Eg=348-349 cm-1 與Ag=687-688 cm-1.經霍爾量測結果證明所得薄膜為p 型特性,導電率與載子濃度範圍分別為(0.58～7.46)×10-3S/cm 及(0.0261～7.42)×1015 cm-3.
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本研究以溶膠-凝膠法製備具有尖晶石結構的CuCo2O4 薄膜,並且分析其微結構及光電特性.首先以溶膠-凝膠將含有Cu-Co-O 的前驅物塗佈於玻璃基材上,之後再放置空氣爐以250℃恆溫退火1 小時後,再以氧氣於250℃～400℃退火2 小時.經X 光繞射分析後,其結果顯示經氧氣以250℃與300℃退火2 小時後的薄膜晶體結構以CuCo2O4 為主,其晶格常數分別為0.8120 nm 及0.8110
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本研究主要探討以水熱法(Hydrothermal method)在不同加熱方式下製備氧化鋅奈米柱(ZnO Nanorods)之性能比較。首先,奈米柱的製備係利用陰極電弧(Cathodic Vacuum Arc Deposition,CVAD)系統以低溫製程(＜75℃)製備氧化鋅(Zinc Oxide,ZnO)晶種層於玻璃基板,再透過水熱法在90℃溫度下成長氧化鋅奈米柱陣列。針對奈米柱以X-光繞射儀
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