【摘 要】
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飞秒激光作用于硅片表面产生的THz波与其表面性质和载流子性质有着密切关系.本文研究了在飞秒激光作用下，硅片表面产生的THz波与泵浦光强度、掺杂类型、载流子浓度、表面
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飞秒激光作用于硅片表面产生的THz波与其表面性质和载流子性质有着密切关系.本文研究了在飞秒激光作用下，硅片表面产生的THz波与泵浦光强度、掺杂类型、载流子浓度、表面粗糙度、方位角的关系.结果表明，硅片产生的THz场强与泵浦光强度之间为线性关系.载流子浓度为1015cm-3的N型硅产生的THz最强，这是因为THz波辐射强度与载流子屏蔽效应达到平衡.对相同的硅片，其粗糙面产生的THz强度较光滑面有明显增强.并且发现Si<111>表面产生的THz强度与方位角呈现三倍周期关系.通过分析对比不同硅片表面产生的THz频谱与其相应的透射谱，研究了硅片在THz波段的吸收过程.在硅片表面加平行于表面的磁场，获得强度增强的THz波，表明光激发的瞬态光电流垂直于硅片表面.同时，通过研究硅片方位角与产生的THz偏振的关系，进一步表明硅片可以通过表面光整流与表面场加速两种不同的机制产生THz.
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