【摘 要】
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研究了掺钙铬酸镧相变过程对于其导电性能的影响机制.掺钙铬酸镧的导电率数据表明,样品中载流子激活能在高温区(500℃以上)与低温区(300℃以下)有一定差别.结合样品热膨胀曲线与DSC分析,发现在300～500℃这一温度区间内掺钙铬酸镧由正交相(Pnma)向菱方相(R3C)转变.在不同温度下对样品进行XRD分析,并对取得的数据进行精修处理,得出掺钙铬酸镧在不同温度下晶格常数及键长的变化.结果表明,相
【机 构】
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清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084;上海大学,上海200444 清华大学新
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研究了掺钙铬酸镧相变过程对于其导电性能的影响机制.掺钙铬酸镧的导电率数据表明,样品中载流子激活能在高温区(500℃以上)与低温区(300℃以下)有一定差别.结合样品热膨胀曲线与DSC分析,发现在300～500℃这一温度区间内掺钙铬酸镧由正交相(Pnma)向菱方相(R3C)转变.在不同温度下对样品进行XRD分析,并对取得的数据进行精修处理,得出掺钙铬酸镧在不同温度下晶格常数及键长的变化.结果表明,相变过程导致晶体中Cr-Cr键、O-O键及La-O键的键长增长,不同程度地降低了自由电子与氧空位两种载流子的激活能,从而提高了导电率.
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