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根据对Si(111)表面各种不同畴界的研究,他们发现并提出了畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素:二聚体(dimer)和顶戴原子(adatom,亦称吸附原子)之间的相互作用;7×7单胞中层错半单元(faulted half)和非层错半单元(unfaulted half)的差异;亚稳态的(2n+1)×(2n+1)结构的影响。