OVM在数字集成电路设计验证中的应用

来源 :第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wuyuwei1210
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文首先简要介绍OVM(Open Verification Methodology)验证方法学的特点,并且结合Mentor Graphic公司的验证工具Questa,详细介绍了OVM和Questa软件在实际项目EPA(Ethernet for Plant Automation)芯片设计中的具体应用。通过OVM对EPA芯片设计进行仿真验证的过程表明:OVM易学易用,能够很好地对数字集成电路的功能进行验证,其提供的事物层的结构可以很大程度上提高验证的速度、验证的功能覆盖率和代码覆盖率,层次化的结构以及可以重复利用的验证环境大大减轻了验证代码的编写量,从而提高验证效率。
其他文献
本文论述了芯片静电防护的瓶颈,探讨了双向可控硅静电防护器件的结构,以及应用,如不同电源线之间采用二极管连接、双向可控硅代替二极管、地线和静电总线之间的应用以及接口电路
本文基于国内外关于利率与汇率理论,归纳了利率与汇率这两者之间的联动效应,并针对我国当前经济状况,提出了相应的结论和政策建议.
本文研究了高温AlN缓冲层厚度对 Si(111)衬底上GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量的影响,实验采用MOCVD方法在Si(111)衬底上外延生长A、B、C、D、E五个样品,其中高温AlN缓冲层的
会议
近年来,随着我国城市居民生活水平的提高,对居住环境也有进一步要求,尤其以临近旅游风景区最为人们所喜好,因此在旅游城市肇庆掀起了房地产开发建设的热潮本文文以2010年上丰
从1972年开始,贸易与环境越来越得到国际社会的普遍重视.我国贸易增长的同时也带来了许多与环境的不和谐表现因此,我国应积极通过有效措施来消除国际贸易发展中对资源的过度
以C2F6、SiH4和N2O为反应前驱体,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)制备了新型低介电常数SiCONF介质薄膜,并通过X射线光电子能谱(XPS)、电容-电压(C-V)和电流-电压(I-V)特性测试以及纳
会议
本文研究了一种P 型硅中低浓度的铜的瞬态电容测试技术,通过观察间隙铜离子在电场作用下引起的电容瞬态变化行为,从而获得铜浓度的定量测量以及其扩散速率等信息,精确测得了在低
近期以来,中国人民银行连番提高存款真备金率.加大了运用货币政策工具进行宏观调控的力度,旨在收缩市场过剩流动性,防范金融风险,为国民经济持续健康快速发展提供稳定的货币.
本文从P-JFET器件击穿的原理入手,分析了击穿电压与跨导,夹断电压,漏极饱和电流,最小导通电阻等关键参数的相互关系。利用silvaco仿真软件对顶栅和沟道的掺杂分布以及G-D耐压区尺
随着我国市场经济体制的不断完善,我国中小企业迅速发展,在整个国民经济中发挥着越来越重要的作用,为我国经济增长做出了巨大贡献.但是近些年来中小企业的发展举步维艰,很少