掺杂分布相关论文
提出一种反抛物线型掺铒光纤,该光纤可以实现二阶模式组中简并矢量模式的有效分离。将其作为光纤激光器的增益介质,采用数值方法分......
半导体器件离子注入工艺中角度控制是一项关键要求。为保证离子精确地注入到器件结构中,离子束注入角度必须进行精确测量及校正。......
提出一种测量小剂量离子注入样品均匀性的新方法——多探针Ｃ－Ｖ法．研制了相关的硬件和软件．此方法基于以下２个新颖的思想：１）采用多根探针测量......
用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结......
SiGe异质结双极晶体管(HBT)器件的截止频率(ft)、最大振荡频率(fMAX)等都精确地依赖于基区中Ge的分布剖面及基区掺杂的分布。综合......
本文从P-JFET器件击穿的原理入手，分析了击穿电压与跨导，夹断电压，漏极饱和电流，最小导通电阻等关键参数的相互关系。利用silvaco仿真......
功率半导体器件是电力电子技术发展的基础，功率MOSFET由于其具有高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性以及良好的热......
学位
用分子束外延技术生长了InGaAs/GaAs异质结材料,并用HALL效应法和电化学C-V分布研究其特性.讨论了InGaAs/GaAs宜质结杨效应晶体管(......
The ion implantation uniformity is of vital importance for an ion implanter.In this paper,we report the,uniformity measu......
论述了一种采用数控精细扫描电压源的电容－电压（Ｃ－Ｖ）测量系统，利用该系统可以测量硅及砷化镓样品表面层的掺杂分布的精细结构，为半导体器件......
对WDM系统中宽带碲基掺铒光纤放大器(EDTFA)多信道增益谱特性的研究表明,在给定泵浦方式、泵浦功率和光纤长度的工作条件下,碲基掺......
短沟道效应是MOS器件特征尺寸进入Sub-100nm后必须面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效地抑制短沟道效应，合理的Halo区掺杂分布会......
<正> 在EPROM器件中,栅注入电流Ig对于Si表面的可动电子浓度n和电场E非常敏感。我们用二维电子温度器件模拟程序研究了n、E和Ig与......
目的定量分析阳离子掺杂ZnO材料中最优化阳离子掺杂量及电子载流子浓度。方法基于团簇加连接原子模型,解析并建立阳离子掺杂ZnO材......
短沟效应是MOS器件特征尺寸缩小面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效抑制短沟效应,合理的Halo区掺杂分布可以改善小尺寸器件性能......
采用标准CMOS工艺制备的n+-p-π-p+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层......
对掺氟化镨玻璃光纤放大器的小信号增益，用广义的高斯近似公式可获得精确的分析表达。文中研究了限制光纤芯层中央部分的镨掺杂对光......
根据单层突变结理论,借助电子计算机计算扩展电阻修正因子.以表格的形式给出修正因子与H1=h1/a和k1=p2-p1/p2+p1的函数关系.在没有......
为获得高效率半导体激光器,理论分析并计算了p型波导层四种不同掺杂浓度分布对器件内损耗、串联电阻、阈值电流以及电光转换效率的......
本文采用数值计算与解析模型相结合的方法，建立了ＩＧＢＴ稳态特性的准数值模型。基于此模型与瞬态特性的电荷控制解析模型，我们开发了绝缘栅......
功率半导体器件是电力电子技术发展的基础,功率MOSFET由于其具有高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性以及良好的......
从无源光纤的模场理论和有源光纤的速率方程理论出发,给出了任意折射率分布和掺杂分布光纤的有效模面积和基模提取效率的计算方法,......
