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利用原子层沉积法制备高储能密度HfO2薄膜材料
利用原子层沉积法制备高储能密度HfO2薄膜材料
来源 :第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cnzhchch
【摘 要】
:
应用于储能电容器的传统铁电与反铁电材料由于一些不可避免的缺点,如储能效率低,含铅量高,与硅半导体工艺结合性能下降等,使得研究者转向寻找储能性能优异的线性介电材料[1,2]。
【作 者】
:
张乐
刘明
任巍
董国华
张易军
彭斌
郝喜红
叶作光
【机 构】
:
电子陶瓷与器件教育部重点实验室,国际电介质中心,西安交通大学,陕西,西安,710049 材料与冶金
【出 处】
:
第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议
【发表日期】
:
2016年5期
【关键词】
:
氧化铪
原子层沉积
线性介电
温度稳定性
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应用于储能电容器的传统铁电与反铁电材料由于一些不可避免的缺点,如储能效率低,含铅量高,与硅半导体工艺结合性能下降等,使得研究者转向寻找储能性能优异的线性介电材料[1,2]。
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